纳米科技中心（CNST：Center for Nanoscale Science and Technology）领导的一项合作是与美国马里兰大学（University of Maryland）和得克萨斯大学（University of Texas）进行的，他们计算出，几层石墨烯中，不同层电子间的静电相互作用如何影响顶层的属性。

　　石墨烯首次从散装石墨中提取出来是在2004年，从那时候起，它一直处于重大科学进步和技术开发的中心。

　　有一种特别有希望的材料，就是石墨烯生长在碳化硅（SiC）晶体表面，这需要从基质中升华硅，通常会生长出数层石墨烯薄片。

　　不同于石墨晶体，这些层相互之间会旋转，这样，原子就排不成一行。这种旋转有意想不到的后果，就像最近在扫描隧道显微镜测量中发现的，这一测量就是在纳米科学和技术中心进行的。

　　在强磁场和低温状态，顶层的性能在很多方面像一层孤立的石墨烯片，但这层薄片上的电荷可转移到其他层。

　　测量结果还表明，在研究的最高磁场中，实测光谱有一种光隙（gap）无法解释，因为他们是用简单的系统单粒子描述来解释；顶层的电子会与其他电子相互作用，这些电子或者在同一层，或着在其他层。

　　经过解释几个方面的实验数据，最新的计算揭示，电子如何在层与层之间转移，以及在适当的条件下，一个种“关联状态” 如何形成，这种状态是在顶层和其他层的电子之间形成。

　　虽然需要另外的实验和理论研究来证实这种解释，但是，这项工作进一步证实，出现了各种不同的有趣现象，石墨烯的科学谜团被层层剥离。